Производитель слитков SiC

Производитель слитков SiC размером 4 дюйма, легированных азотом

Homray Material Technology предлагает слитки SiC N-типа размером 4 дюйма высочайшего качества по выгодной цене. Мы также поставляем полупроводниковые кристаллы SiC. Свяжитесь с нами, чтобы получить подробные параметры.

Карбид кремния имеет более высокую плотность мощности, чем традиционные кремниевые пластины, что позволяет уменьшить размер и объем устройств, а также соответствующий размер батареи, тем самым увеличить срок службы батареи и обеспечить электромобилям более длительный пробег. Например, в модели Tesla Model 3 для модуля преобразования тока используется карбид кремния вместо кремния.

Мощностные устройства являются одним из наиболее важных базовых компонентов в промышленности силовой электроники и широко используются для преобразования электроэнергии и управления электрическими цепями в силовых устройствах. Эпитаксиальная пластина на основе SiC галлиевого нитрида (GAN-on-sic), выращенная на полупроводниковом подложке SiC, может быть дальнейшим образом изготовлена в микроволновые радиочастотные устройства. Микроволновые радиочастотные устройства являются базовыми компонентами для отправки и приема сигналов и ядром беспроводной связи, включающими в основном такие устройства, как радиочастотные переключатели, усилители низкой мощности (LNA), мощные усилители, фильтры и другие устройства.